В Томске открылись две научные конференции СО РАН

  • 21.09.2010

19 сентября в Томском научном центре СО РАН, на базе Института сильноточной электроники, открылись два параллельных научных мероприятия: XVI Международный симпозиум по сильноточной электронике и X Международная конференция по модификации материалов пучками заряженных частиц и потоками плазмы. Они традиционно проходят в Томске каждые два года.


Институт сильноточной электроники СО РАН
, выступающий одним из организаторов форума, активно работает и в той, и в другой области. Ученые обсудят вопросы генерации сверхмощных электрических импульсов, получения и транспортировки интенсивных потоков заряженных частиц и плазмы, СВЧ, оптического и рентгеновского излучений, а также проблемы использования пучков частиц и плазмы в технологических целях: для модификации функциональных свойств материалов. Доклады представят около 200 участников из 11 стран мира, в том числе и из 30 городов России.

Одна из новинок ИСЭ СО РАН — усилитель фемтосекундных лазерных импульсов ультрафиолетового диапазона, построенный на основе сильноточного электронного ускорителя. Уникальная установка будет использована для фундаментальных исследований вещества в условиях экстремально высокой плотности энергии электромагнитного поля.

Также она позволяет отрабатывать физические и инженерные принципы получения коротких лазерных импульсов сверхвысокой мощности в системах с газовыми активными средами, которые выгодно отличаются от твердотельных простотой и низкой стоимостью.

Специально для этой установки в ИСЭ СО РАН оборудован бункер с особо чистыми условиями. В этом году ученые намерены получить 20-ти тераваттные импульсы излучения, а в следующем — выйти на мощность в 80 тераватт.

Работа симпозиума и конференции, включающая в себя устные выступления и общение на стендовых секциях, продлится пять дней.