В Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН состоялась встреча представителей сибирского отделения РАН и холдинга НИК «Оптические системы и технологии» (входит в состав госкорпорации «Ростехнологии»).
Гостям были представлены ведущие разработки института. Работа фотоприемных устройств демонстрировалась в реальном времени: можно было поднести руку и увидеть, как она отображается на экране монитора, проверить чувствительность и точность работы аппарата, реакцию на движение и другие характеристики. Также была представлена установка молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая создавать гетероэпитаксиальные структуры «кадмий-ртуть-теллур». Их можно вырастить чувствительными к любой длине волны, и на основе этого базового материала создавать фотоприемники с высокой эффективностью. В частности, подобная технология используется для создания тепловизоров. По словам старшнго научного сотрудника ИФП СО РАН кандидата физико-математических наук Максима Якушева, данная установка многокамерная: каждый процесс проходит в отдельном отсеке. Это позволило наладить поточное производство. Кроме того, каждая камера имеет свою остаточную атмосферу, что позволяет получать низкую плотность дефектов в полученных слоях материала.